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首页 全部分类 FDR840P vs IRF9910TRPBF

FDR840P备选型号: IRF9910TRPBF

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  • 无铅
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  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDR840P
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SuperSOT T/R
    表面贴装
    表面贴装
    8-LSOP (0.130, 3.30mm Width)
    8
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -20V
    -10A
    1.8W
    P-Channel
    12m Ω @ 10A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    4481pF @ 10V
    60nC @ 4.5V
    15ns
    20V
    ±12V
    15 ns
    10A
    12V
    -20V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9910TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    10A 12A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    20V
    10A
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    9.3m Ω @ 12A, 10V
    2.55V @ 250μA
    900pF @ 10V
    11nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    -
    10A
    20V
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    HEXFET®
    e3
    8
    EAR99
    13.4MOhm
    Matte Tin (Sn)
    2W
    鸥翼
    IRF9910PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    33 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    2.55 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
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