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首页 全部分类 FDR844P vs DMP2008UFG-13

FDR844P备选型号: DMP2008UFG-13

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  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDR844P
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SuperSOT T/R
    表面贴装
    表面贴装
    8-LSOP (0.130, 3.30mm Width)
    8
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2001
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -20V
    -10A
    1.8W
    P-Channel
    11m Ω @ 10A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    4951pF @ 10V
    74nC @ 4.5V
    9ns
    20V
    ±8V
    9 ns
    10A
    8V
    -20V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP2008UFG-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    14A Ta 54A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    P-Channel
    8m Ω @ 12A, 4.5V
    1V @ 250μA
    6909pF @ 10V
    72nC @ 4.5V
    33ns
    20V
    ±8V
    124 ns
    12A
    8V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    19 Weeks
    SILICON
    e3
    yes
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    无铅
    260
    40
    S-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    22 ns
    SWITCHING
    14A
    20V
    113 mJ
    无SVHC
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