FDR844P备选型号: FDMC510P
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SuperSOT T/R表面贴装表面贴装8-LSOP (0.130, 3.30mm Width)810A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2001Obsolete1 (Unlimited)-20V-10A1.8WP-Channel11m Ω @ 10A, 4.5V1.5V @ 250μA4951pF @ 10V74nC @ 4.5V9ns20V±8V9 ns10A8V-20V符合RoHS标准无铅--------------------------
- Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin MLP T/R表面贴装表面贴装8-PowerWDFN812A Ta 18A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006活跃1 (Unlimited)--41WP-Channel8m Ω @ 12A, 4.5V1V @ 250μA7860pF @ 10V116nC @ 4.5V34ns20V±8V170 ns12A8V-20VROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)23 WeeksGold165.33333mgSILICONPowerTrench®e4yes5EAR99DUALS-PDSO-N5Single增强型MOSFETDRAIN15 nsSWITCHING-500mV54A50A37 mJ750μm3.3mm3.3mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMP2008UFG-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI | 对比 |
![]() | FDMC510P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerWDFN | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin MLP T/R | 对比 |





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