FDS6912备选型号: FDS8958B
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 已出版
- 端子位置
- 极性/通道类型
- 高度
- 长度
- 宽度
- Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/RLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8187mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yesObsolete1 (Unlimited)8SMD/SMTEAR9928MOhmTin (Sn)900mW鸥翼Dual增强型MOSFET2W8 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING28m Ω @ 6A, 10V3V @ 250μA740pF @ 15V10nC @ 5V13ns8 ns6A2V25V6A30V30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门2 V无SVHC无符合RoHS标准无铅-------
- Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC N T/RACTIVE (Last Updated: 1 week ago)表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8187mgSILICON6.4A 4.5A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)8-EAR9926MOhmTin (Sn)900mW鸥翼-增强型MOSFET1.6W-N and P-ChannelSWITCHING26m Ω @ 6.4A, 10V3V @ 250μA540pF @ 15V12nC @ 10V6ns6 ns4.5A2V25V6.4A30V-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门-无SVHC无ROHS3 Compliant无铅18 Weeks2017DUALN-CHANNEL AND P-CHANNEL1.575mm4.9mm3.9mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS8958B | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC N T/R | 对比 | |
![]() | DMG4800LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO | 对比 |
| FDS6990AS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC | 对比 |



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