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首页 全部分类 FDS8958B vs FDS6930A

FDS8958B备选型号: FDS6930A

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • ON Semiconductor
    FDS8958B
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC N T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    187mg
    SILICON
    6.4A 4.5A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    26MOhm
    Tin (Sn)
    900mW
    DUAL
    鸥翼
    增强型MOSFET
    1.6W
    N and P-Channel
    SWITCHING
    26m Ω @ 6.4A, 10V
    3V @ 250μA
    540pF @ 15V
    12nC @ 10V
    6ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    6 ns
    4.5A
    2V
    25V
    6.4A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.575mm
    4.9mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6930A
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    187mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    40mOhm
    Tin (Sn)
    900mW
    -
    鸥翼
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    40m Ω @ 5.5A, 10V
    3V @ 250μA
    460pF @ 15V
    7nC @ 5V
    8ns
    -
    13 ns
    5.5A
    1.5V
    20V
    4.6A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    逻辑电平兼容
    30V
    5.5A
    Dual
    5 ns
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