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首页 全部分类 FDW2601NZ vs DMN2016UTS-13

FDW2601NZ备选型号: DMN2016UTS-13

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  • 终端形式
  • 基本部件号
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 场效应管技术
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDW2601NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 8.2A 8TSSOP
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    8
    8-TSSOP
    8.2A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    30V
    1.6W
    8.2A
    1.6W
    1.6W
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    15mOhm @ 8.2A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1840pF @ 15V
    30nC @ 4.5V
    57ns
    30V
    57 ns
    8.2A
    12V
    30V
    1.84nF
    逻辑电平门
    15mOhm
    15 mΩ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2016UTS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    8
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    880mW
    -
    880mW
    -
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    14.5m Ω @ 9.4A, 4.5V
    1V @ 250μA
    1495pF @ 10V
    16.5nC @ 4.5V
    11.66ns
    20V
    16.27 ns
    8.58A
    8V
    20V
    -
    逻辑电平门
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    16 Weeks
    157.991892mg
    SILICON
    2009
    e3
    8
    EAR99
    14.5mOhm
    Matte Tin (Sn)
    鸥翼
    DMN2016U
    8
    Dual
    增强型MOSFET
    10.39 ns
    SWITCHING
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    1.025mm
    4.5mm
    3.1mm
    无SVHC
    无
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