FDZ1323NZ备选型号: DMN2011UFDE-7
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 基本部件号
- 通道数量
- Vgs(最大值)
- MOSFET Common Drain N-Channel 2.5 V PowerTrench WL-CSP MOSFETACTIVE (Last Updated: 1 week ago)10 Weeks表面贴装表面贴装6-XFBGA, WLCSP650mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2011e1yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)2WBOTTOMBALLSingle增强型MOSFET2W12 ns500mW2 N-Channel (Dual) Common DrainSWITCHING13m Ω @ 1A, 4.5V1.2V @ 250μA2055pF @ 10V24nC @ 10V13ns20V13 ns10A12V20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门380 pF150μm2.3mm1.3mm无ROHS3 Compliant---
- MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6-23 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed Pad---11.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2014e4-活跃1 (Unlimited)-EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)---Single--3.6 ns-N-Channel-9.5m Ω @ 7A, 4.5V1V @ 250μA2248pF @ 10V56nC @ 10V2.6ns20V13.5 ns11.7A12V--------ROHS3 CompliantDMN20111±12V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN2015UFDE-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-PowerUDFN | MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN | 对比 |
![]() | DMN2011UFDE-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6 | 对比 |



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