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FDZ663P备选型号: FDFMA2P859T
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 场效应管特性
MOSFET PCh 1.5 V SPECIFIED PowerTrench MOSFET表面贴装表面贴装4-XFBGA, WLCSP467mgSILICON2.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e1yesObsolete1 (Unlimited)4EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)BOTTOMBALLSingle增强型MOSFET1.3W4.8 nsP-ChannelSWITCHING134m Ω @ 2A, 4.5V1.2V @ 250μA525pF @ 10V8.2nC @ 4.5V6.2ns20V±8V32 ns2.7A8V-20V80 pF150μm800μm800μm无符合RoHS标准无铅-
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed Pad640mg-3A Ta-55°C~150°C TJDigi-Reel®PowerTrench®-yesObsolete1 (Unlimited)-----Single-1.4W9 nsP-Channel-120m Ω @ 3A, 4.5V1.3V @ 250μA435pF @ 10V6nC @ 4.5V11ns20V±8V6 ns-3A8V-20V----无符合RoHS标准-Schottky Diode (Isolated)- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDFMA2P853T | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET MOSFET/Schottky -20V Int. PCh PowerTrench | 对比 |
| FDFMA2P859T | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET | 对比 |
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