FGA180N30DTU备选型号: FGH50N3
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- 功率 - 最大
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- 集极脉冲电流(Icm)
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- IGBT 300V 180A 480W TO3P通孔通孔TO-3P-3, SC-65-33TO-3P300V1.9V-55°C~150°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)150°C-55°C300V480W10ASingle480WStandard480W300V180A21 ns300V1.4V @ 15V, 40A185nC450A符合RoHS标准无铅----------------------------
- Trans IGBT Chip N-CH 300V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Rail通孔通孔TO-247-33-300V1.3V-55°C~150°C TJTube活跃1 (Unlimited)--300V463W75ASingle463WStandard-300V75A--1.4V @ 15V, 30A180nC240AROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)4 Weeks6.39gSILICON2002e3yes3EAR99Tin (Sn)低导通损耗8541.29.00.95COLLECTOR20 ns电源控制15nsN-CHANNEL32 ns162 nsPT20ns/135ns130μJ (on), 92μJ (off)20V5.5V20.82mm15.87mm4.82mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FGA90N30DTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGA90N30DTU IGBT Single Transistor, 90 A, 1.4 V, 219 W, 300 V, TO-3P, 3 Pins | 对比 |
![]() | FGA90N30TU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | IGBT 300V 90A 219W TO3P | 对比 |
![]() | IXGQ150N30TCD1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | IGBT 300V 150A TO3P | 对比 |




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