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首页 全部分类 FGA20N120FTDTU vs IRG8P25N120KD-EPBF

FGA20N120FTDTU备选型号: IRG8P25N120KD-EPBF

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  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • Reach合规守则
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • ON Semiconductor
    FGA20N120FTDTU
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 40A 3-Pin(3 Tab) TO-3PN Tube
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    11 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    6.401g
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    298W
    Single
    Standard
    30 ns
    298W
    N-CHANNEL
    1.2kV
    40A
    447 ns
    1200V
    1.2kV
    2V @ 15V, 20A
    沟渠现场停车
    137nC
    60A
    25V
    7.5V
    18.9mm
    15.8mm
    5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG8P25N120KD-EPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 40A 180W TO-247AD
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    6.500007g
    1.2kV
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2014
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    180W
    Single
    Standard
    -
    -
    -
    2V
    25A
    70 ns
    1200V
    -
    2V @ 15V, 15A
    -
    135nC
    45A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    1.7V
    unknown
    20ns/170ns
    800μJ (on), 900μJ (off)
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