ON Semiconductor NGTB15N120IHRWG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Test Conditions

600V, 15A, 10 Ω, 15V

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

333W

引脚数量

3

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

333W

集电极发射器电压(VCEO)

2.5V

最大集电极电流

30A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 15A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

160nC

集极脉冲电流（Icm）

60A

Td（开/关）@25°C

-/170ns

开关能量

340μJ (off)

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅