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首页 全部分类 FGA25N120ANTDTU vs IRG7PH35UD1PBF

FGA25N120ANTDTU备选型号: IRG7PH35UD1PBF

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  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
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  • 最大耗散功率(Abs)
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 最大下降时间 (tf)
  • ON Semiconductor
    FGA25N120ANTDTU
    ON Semiconductor
    In a Pack of 2, ON Semiconductor FGA25N120ANTDTU IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-3P
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    6.40101g
    1.2kV
    2.65V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    1.2kV
    312W
    50A
    FGA25N120A
    Single
    312mW
    Standard
    50 ns
    60ns
    N-CHANNEL
    1.2kV
    50A
    350 ns
    1200V
    2.65V @ 15V, 50A
    150°C
    50A
    NPT和沟槽
    200nC
    90A
    50ns/190ns
    4.1mJ (on), 960μJ (off)
    20V
    7.5V
    23.8mm
    15.8mm
    5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG7PH35UD1PBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 50A 179W TO247
    -
    -
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    50A
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    IRG7PH35
    -
    -
    Standard
    -
    -
    N-CHANNEL
    -
    -
    -
    1200V
    2.2V @ 15V, 20A
    -
    -
    Trench
    85nC
    150A
    -/160ns
    620μJ (off)
    30V
    6V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    NO
    SILICON
    3
    SINGLE
    compliant
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    COLLECTOR
    179W
    电源控制
    TO-247AC
    179W
    400 ns
    105ns
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