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首页 全部分类 FGA30N65SMD vs HGTG20N60A4D

FGA30N65SMD备选型号: HGTG20N60A4D

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 辐射硬化
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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 最大击穿电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FGA30N65SMD
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 650V 30A FS Planar Gen2 IGBT
    5 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    TO-3P-3, SC-65-3
    通孔
    通孔
    3
    6.401g
    SILICON
    650V
    2.29V
    2012
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    300W
    Single
    300W
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    650V
    60A
    35ns
    41 ns
    2.5V @ 15V, 30A
    125 ns
    场站
    87nC
    90A
    14ns/102ns
    716μJ (on), 208μJ (off)
    20V
    6V
    5mm
    16.2mm
    20.1mm
    ROHS3 Compliant
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTG20N60A4D
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG20N60A4D IGBT Single Transistor, General Purpose, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    4 Weeks
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    3
    6.39g
    SILICON
    600V
    1.8V
    2011
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    290W
    Single
    290W
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    70A
    35 ns
    28 ns
    2.7V @ 15V, 20A
    160 ns
    -
    142nC
    280A
    15ns/73ns
    105μJ (on), 150μJ (off)
    -
    -
    4.82mm
    15.87mm
    20.82mm
    ROHS3 Compliant
    无
    低导通损耗
    600V
    70A
    HGTG20N60
    COLLECTOR
    15 ns
    12ns
    600V
    无SVHC
    无铅
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