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首页 全部分类 FGA30N65SMD vs STGP30H60DF

FGA30N65SMD备选型号: STGP30H60DF

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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 基本部件号
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FGA30N65SMD
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 650V 30A FS Planar Gen2 IGBT
    5 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    TO-3P-3, SC-65-3
    通孔
    通孔
    3
    6.401g
    SILICON
    650V
    2.29V
    2012
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    300W
    Single
    300W
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    650V
    60A
    35ns
    41 ns
    2.5V @ 15V, 30A
    125 ns
    场站
    87nC
    90A
    14ns/102ns
    716μJ (on), 208μJ (off)
    20V
    6V
    5mm
    16.2mm
    20.1mm
    ROHS3 Compliant
    无
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGP30H60DF
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 60A 260W TO220
    20 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    -
    -
    -
    600V
    2.4V
    -
    Tube
    -40°C~175°C TJ
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    260W
    Single
    260W
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    600V
    60A
    110 ns
    -
    2.4V @ 15V, 30A
    -
    沟渠现场停车
    105nC
    120A
    50ns/160ns
    350μJ (on), 400μJ (off)
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无
    STGP30
    无铅
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