ON Semiconductor FGA30N65SMD

工厂交货时间

5 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

6.401g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.29V

Test Conditions

400V, 30A, 6 Ω, 15V

Number of Elements

1

已出版

2012

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

300W

元素配置

Single

功率耗散

300W

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

650V

最大集电极电流

60A

反向恢复时间

35ns

接通时间

41 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

125 ns

IGBT类型

场站

闸门收费

87nC

集极脉冲电流（Icm）

90A

Td（开/关）@25°C

14ns/102ns

开关能量

716μJ (on), 208μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

宽度

5mm

长度

16.2mm

高度

20.1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无