FGA90N33ATDTU备选型号: FGA90N30DTU
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 上升时间
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 达到SVHC
- IGBT 330V 90A 223W TO3PACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)36 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-336.401gSILICON330V-55°C~150°C TJTube2004e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99哑光锡低导通损耗8541.29.00.95223WSingleStandard223W电源控制N-CHANNEL330V90A23 ns60 ns1.4V @ 15V, 20A360 nsTrench95nC330A无符合RoHS标准无铅----------
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGA90N30DTU IGBT Single Transistor, 90 A, 1.4 V, 219 W, 300 V, TO-3P, 3 Pins--通孔通孔TO-3P-3, SC-65-33--300V-55°C~150°C TJTube---Obsolete1 (Unlimited)-----219WSingleStandard219W--300V90A21 ns-1.4V @ 15V, 20A--87nC220A无符合RoHS标准无铅TO-3P1.9V150°C-55°C300V10A219W200ns300V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRG6B330UDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 330V 70A 160W TO220 | 对比 |
![]() | FGA90N30DTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGA90N30DTU IGBT Single Transistor, 90 A, 1.4 V, 219 W, 300 V, TO-3P, 3 Pins | 对比 |




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