ON Semiconductor FGA90N33ATDTU

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

36 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

质量

6.401g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

330V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

低导通损耗

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

223W

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

223W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

330V

最大集电极电流

90A

反向恢复时间

23 ns

接通时间

60 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.4V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

360 ns

IGBT类型

Trench

闸门收费

95nC

集极脉冲电流（Icm）

330A

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅