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首页 全部分类 FGB20N60SF vs STGB15H60DF

FGB20N60SF备选型号: STGB15H60DF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 生命周期状态
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 反向恢复时间
  • ON Semiconductor
    FGB20N60SF
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGB20N60SF IGBT Single Transistor, General Purpose, 20 A, 600 V, 208 W, 600 V, TO-263, 3 Pins
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    1.31247g
    SILICON
    600V
    2.2V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    208W
    鸥翼
    FGB20N60
    R-PSSO-G2
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    208W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    40A
    600V
    28 ns
    2.8V @ 15V, 20A
    123 ns
    场站
    65nC
    60A
    13ns/90ns
    370μJ (on), 160μJ (off)
    20V
    6.5V
    48ns
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGB15H60DF
    STMicroelectronics
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin D2PAK T/R
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    2.000002g
    -
    600V
    1.6V
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    115W
    -
    STGB15
    -
    Single
    -
    Standard
    115W
    -
    -
    600V
    30A
    600V
    -
    2V @ 15V, 15A
    -
    沟渠现场停车
    81nC
    60A
    24.5ns/118ns
    136μJ (on), 207μJ (off)
    -
    -
    -
    4.6mm
    10.4mm
    9.35mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    未说明
    未说明
    103 ns
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