FGB5N60UNDF备选型号: FGB7N60UNDF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- IGBT Transistors 600V 5A NPT IGBTACTIVE (Last Updated: 4 days ago)5 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON600V2.4V-55°C~150°C TJTube2013e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)8541.29.00.9573.5W鸥翼R-PSSO-G2SingleCOLLECTORStandard73.5WMOTOR CONTROLN-CHANNEL600V10A35 ns7.5 ns2.4V @ 15V, 5A151.6 nsNPT12.1nC15A5.4ns/25.4ns80μJ (on), 70μJ (off)20V8.5V202ns4.83mm10.67mm9.65mm无ROHS3 Compliant无铅
- IGBT Transistors 600V 7A NPT IGBTACTIVE (Last Updated: 4 days ago)5 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON600V2.1V-55°C~150°C TJTube2013e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)8541.29.00.9583W鸥翼R-PSSO-G2SingleCOLLECTORStandard83WMOTOR CONTROLN-CHANNEL600V14A32.3 ns10.3 ns2.3V @ 15V, 7A146.8 nsNPT18nC21A5.9ns/32.3ns99μJ (on), 104μJ (off)20V8.5V89ns4.83mm10.67mm9.65mm无ROHS3 Compliant无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FGB7N60UNDF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT Transistors 600V 7A NPT IGBT | 对比 |
![]() | STGB7NC60HDT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 25A 80W D2PAK | 对比 |
![]() | STGB14NC60KDT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 25A 80W D2PAK | 对比 |




哦! 它是空的。