FGB5N60UNDF备选型号: FGB7N60UNDF

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  • 工厂交货时间
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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
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  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
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  • HTS代码
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    IGBT Transistors 600V 5A NPT IGBT
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    5 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    1.31247g
    SILICON
    600V
    2.4V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    73.5W
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    73.5W
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    600V
    10A
    35 ns
    7.5 ns
    2.4V @ 15V, 5A
    151.6 ns
    NPT
    12.1nC
    15A
    5.4ns/25.4ns
    80μJ (on), 70μJ (off)
    20V
    8.5V
    202ns
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • ON Semiconductor
    IGBT Transistors 600V 7A NPT IGBT
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    5 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    1.31247g
    SILICON
    600V
    2.1V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    83W
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    83W
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    600V
    14A
    32.3 ns
    10.3 ns
    2.3V @ 15V, 7A
    146.8 ns
    NPT
    18nC
    21A
    5.9ns/32.3ns
    99μJ (on), 104μJ (off)
    20V
    8.5V
    89ns
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
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