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FGB5N60UNDF备选型号: STGB7NC60HDT4
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- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
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- 长度
- 宽度
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IGBT Transistors 600V 5A NPT IGBTACTIVE (Last Updated: 4 days ago)5 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON600V2.4V-55°C~150°C TJTube2013e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)8541.29.00.9573.5W鸥翼R-PSSO-G2SingleCOLLECTORStandard73.5WMOTOR CONTROLN-CHANNEL600V10A35 ns7.5 ns2.4V @ 15V, 5A151.6 nsNPT12.1nC15A5.4ns/25.4ns80μJ (on), 70μJ (off)20V8.5V202ns4.83mm10.67mm9.65mm无ROHS3 Compliant无铅-----------
IGBT 600V 25A 80W D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-SILICON600V2.5V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-e3-活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - annealed-80W鸥翼R-PSSO-G2Single-Standard80W电源控制N-CHANNEL600V25A37 ns25.5 ns2.5V @ 15V, 7A221 ns-35nC50A18.5ns/72ns95μJ (on), 115μJ (off)20V5.75V----无ROHS3 Compliant无铅PowerMESH™600V24514A30STGB7425W18.5 ns8.5ns600V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGB7N60UNDF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT Transistors 600V 7A NPT IGBT | 对比 |
| STGB7NC60HDT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 25A 80W D2PAK | 对比 |
| STGB14NC60KDT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 25A 80W D2PAK | 对比 |
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