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首页 全部分类 FGH30N60LSDTU vs STGW30NC60WD

FGH30N60LSDTU备选型号: STGW30NC60WD

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  • 开关能量
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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • ON Semiconductor
    FGH30N60LSDTU
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 60A 480W TO247
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    7 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    600V
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    480W
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    18 ns
    480W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    60A
    35 ns
    TO-247AB
    62 ns
    1.4V @ 15V, 30A
    2870 ns
    225nC
    90A
    18ns/250ns
    1.1mJ (on), 21mJ (off)
    20V
    7V
    2000ns
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW30NC60WD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    SILICON
    600V
    2.1V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    200W
    Single
    ISOLATED
    Standard
    29.5 ns
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    60A
    40 ns
    TO-247AC
    42.5 ns
    2.5V @ 15V, 20A
    189 ns
    102nC
    150A
    29.5ns/118ns
    305μJ (on), 181μJ (off)
    20V
    5.75V
    -
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    PowerMESH™
    600V
    60A
    STGW30
    3
    200W
    12ns
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