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FGH40T65UPD备选型号: FGH40N60SMD
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- 栅极-发射极Thr电压-最大值
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IGBT Transistors 650 V 80 A 268 WACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)50 WeeksTin通孔通孔TO-247-336.39gSILICON650V2.1V-55°C~175°C TJTube2013e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR998541.29.00.95268W未说明not_compliant未说明SingleCOLLECTORStandard268W电源控制N-CHANNEL650V80A43 nsTO-247AB57 ns2.3V @ 15V, 40A213 ns沟渠现场停车177nC120A20ns/144ns1.59mJ (on), 580μJ (off)20V7.5V22ns20.82mm15.87mm4.82mmROHS3 Compliant无铅------- IGBT 600V 80A 349W TO-247-3-5 Weeks-通孔通孔TO-247-336.39gSILICON600V2.1V-55°C~175°C TJTube2013e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR998541.29.00.95349W---SingleCOLLECTORStandard349W电源控制N-CHANNEL600V80A36 nsTO-247AB37 ns2.5V @ 15V, 40A132 ns场站119nC120A12ns/92ns870μJ (on), 260μJ (off)20V6V17ns20.6mm15.6mm4.7mmROHS3 Compliant无铅Tin (Sn)低导通损耗FGH40N6028ns无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NGTB40N65FL2WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB40N65FL2WGIGBT Single Transistor, 80 A, 1.7 V, 366 W, 650 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
| FGH40N60SMD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 80A 349W TO-247-3 | 对比 |
| FGH50T65UPD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 650 V 100 A 240 W | 对比 |
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