ON Semiconductor FGH40T65UPD

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

50 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.1V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 40A, 7 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

268W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

268W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

650V

最大集电极电流

80A

反向恢复时间

43 ns

JEDEC-95代码

TO-247AB

接通时间

57 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.3V @ 15V, 40A

关断时间-标准值（toff)

213 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

177nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

20ns/144ns

开关能量

1.59mJ (on), 580μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

7.5V

最大下降时间 (tf)

22ns

高度

20.82mm

长度

15.87mm

宽度

4.82mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅