FGH40T65UPD备选型号: IGW50N65F5FKSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 端子表面处理
  • 功率耗散
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    IGBT Transistors 650 V 80 A 268 W
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)
    50 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    650V
    2.1V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8541.29.00.95
    268W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    268W
    电源控制
    N-CHANNEL
    650V
    80A
    43 ns
    TO-247AB
    57 ns
    2.3V @ 15V, 40A
    213 ns
    沟渠现场停车
    177nC
    120A
    20ns/144ns
    1.59mJ (on), 580μJ (off)
    20V
    7.5V
    22ns
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
    -
    16 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    -
    650V
    1.6V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    305W
    未说明
    -
    未说明
    Single
    -
    Standard
    -
    -
    -
    1.6V
    80A
    -
    -
    -
    2.1V @ 15V, 50A
    -
    -
    120nC
    150A
    21ns/175ns
    490μJ (on), 160μJ (off)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    TrenchStop®
    Tin (Sn)
    305W
    Unknown
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
NGTB40N65FL2WG NGTB40N65FL2WG ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 ON SEMICONDUCTOR NGTB40N65FL2WGIGBT Single Transistor, 80 A, 1.7 V, 366 W, 650 V, TO-247, 3 Pins 对比
FGH40N60SMD FGH40N60SMD ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 600V 80A 349W TO-247-3 对比
FGH50T65UPD FGH50T65UPD ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT Transistors 650 V 100 A 240 W 对比