FGH60N60SFTU备选型号: IKW50N60H3FKSA1
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
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- 零件状态
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- 终止次数
- ECCN 代码
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- HTS代码
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 系列
- 引脚数量
- 反向恢复时间
- 无铅
- IGBT 600V 120A 378W TO2474 Weeks通孔通孔TO-247-336.39gSILICON600V600V-55°C~150°C TJTube2008e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95378WFGH60N60SingleCOLLECTORStandard378W电源控制N-CHANNEL600V120ATO-247AB66 ns2.9V @ 15V, 60A187 ns场站198nC180A22ns/134ns1.79mJ (on), 670μJ (off)20V6.5V62ns20.6mm15.6mm4.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant----
- IGBT 600V 100A 333W TO247-316 Weeks通孔通孔TO-247-33-SILICON600V--40°C~175°C TJTube2008e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)-333W-Single-Standard333W电源控制N-CHANNEL600V100A-54 ns2.3V @ 15V, 50A297 ns沟渠现场停车315nC200A23ns/235ns2.36mJ-------无ROHS3 CompliantTrenchStop®3130 ns无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 100A 333W TO247-3 | 对比 |
| FGH75N60UFTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH75N60UFTU IGBT Single Transistor, General Purpose, 150 A, 600 V, 452 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins | 对比 | |
| FGH80N60FDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 80A 290W TO247 | 对比 |



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