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首页 全部分类 FGH60T65SHD-F155 vs IXXH40N65B4

FGH60T65SHD-F155备选型号: IXXH40N65B4

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  • 输入类型
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  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
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  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • RoHS状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 系列
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • ON Semiconductor
    FGH60T65SHD-F155
    ON Semiconductor
    IGBT 650V 120A 349W TO-247
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.39g
    650V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2015
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    349W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Standard
    349W
    2.1V
    120A
    34.6 ns
    2.1V @ 15V, 60A
    沟渠现场停车
    102nC
    180A
    26ns/87ns
    1.69mJ (on), 630μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXXH40N65B4
    IXYS
    IGBT Transistors 650V/120A TRENCH IGBT GENX4 XPT
    -
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    650V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    455W
    -
    -
    -
    Standard
    -
    1.8V
    120A
    -
    1.8V @ 15V, 40A
    PT
    77nC
    240A
    28ns/144ns
    1.4mJ (on), 560μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    1.5V
    GenX4™, XPT™
    Single
    455W
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