ON Semiconductor FGH75T65SHD-F155

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 75A, 3 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

455W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

输入类型

Standard

功率 - 最大

455W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.1V

最大集电极电流

150A

反向恢复时间

43.4 ns

JEDEC-95代码

TO-247AB

接通时间

84.8 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 75A

关断时间-标准值（toff)

100 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

123nC

集极脉冲电流（Icm）

225A

Td（开/关）@25°C

28ns/80ns

开关能量

2.4mJ (on), 720μJ (off)

RoHS状态

ROHS3 Compliant