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首页 全部分类 FGH75T65UPD-F085 vs FGY75N60SMD

FGH75T65UPD-F085备选型号: FGY75N60SMD

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 高度
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  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FGH75T65UPD-F085
    ON Semiconductor
    IGBT 650V 150A 375W TO-247AB
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    650V
    2.21V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    375W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    71ns
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    375W
    电源控制
    N-CHANNEL
    650V
    150A
    85 ns
    TO-247AB
    87 ns
    2.3V @ 15V, 75A
    197 ns
    沟渠现场停车
    578nC
    225A
    32ns/166ns
    2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
    20V
    7.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGY75N60SMD
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY75N60SMDIGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pins
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3
    7.629g
    SILICON
    600V
    1.9V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    750W
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    750W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    150A
    55 ns
    -
    76 ns
    2.5V @ 15V, 75A
    161 ns
    场站
    248nC
    225A
    24ns/136ns
    2.3mJ (on), 770μJ (off)
    20V
    6.5V
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 hours ago)
    6 Weeks
    2010
    EAR99
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    29ns
    20.32mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    无铅
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