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首页 全部分类 FGL60N100BNTD vs FGL35N120FTDTU

FGL60N100BNTD备选型号: FGL35N120FTDTU

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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • ON Semiconductor
    FGL60N100BNTD
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGL60N100BNTDIGBT Single Transistor, 60 A, 2.9 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 Pins
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 6 days ago)
    4 Weeks
    TO-264-3, TO-264AA
    通孔
    通孔
    3
    6.756g
    SILICON
    600V
    1.5V
    2017
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    哑光锡
    8541.29.00.95
    1kV
    180W
    60A
    NPN
    Single
    180W
    Standard
    电源控制
    320ns
    1kV
    60A
    1.2 μs
    1000V
    1kV
    460 ns
    2.9V @ 15V, 60A
    760 ns
    NPT和沟槽
    275nC
    120A
    140ns/630ns
    26mm
    20mm
    5mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGL35N120FTDTU
    ON Semiconductor
    IGBT 1200V 70A 368W TO264
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    4 Weeks
    TO-264-3, TO-264AA
    通孔
    通孔
    3
    6.756g
    -
    1.2kV
    -
    2013
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    -
    368W
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    -
    1.2kV
    70A
    337 ns
    1200V
    -
    -
    2.2V @ 15V, 35A
    -
    沟渠现场停车
    210nC
    105A
    34ns/172ns
    26.4mm
    20.2mm
    5.2mm
    ROHS3 Compliant
    无
    -
    无铅
    368W
    N-CHANNEL
    2.5mJ (on), 1.7mJ (off)
    25V
    7.5V
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