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首页 全部分类 FJBE2150DTU vs KSB834WYTM

FJBE2150DTU备选型号: KSB834WYTM

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  • 终端形式
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  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 最大击穿电压
  • ON Semiconductor
    FJBE2150DTU
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT ESBC Rated NPN Silicon Transistor
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    1.88g
    SILICON
    800V
    250mV
    -55°C~125°C TJ
    Tube
    ESBC™
    2015
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    110W
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    COLLECTOR
    110W
    SWITCHING
    5MHz
    NPN
    NPN
    800V
    2A
    20 @ 400mA 3V
    100μA
    250mV @ 330mA, 1A
    20V
    5MHz
    1.5kV
    12V
    4.83mm
    10.67mm
    9.85mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    KSB834WYTM
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    1.31247g
    SILICON
    60V
    -500mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    1.5W
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    -
    -
    AMPLIFIER
    9MHz
    PNP
    PNP
    60V
    3A
    100 @ 5mA 5V
    100μA ICBO
    1V @ 300mA, 3A
    -
    9MHz
    -60V
    -7V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    -60V
    未说明
    not_compliant
    -3A
    9MHz
    未说明
    KSB834
    不合格
    1.5W
    60V
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