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首页 全部分类 FJD3076TM vs KSC5502DTM

FJD3076TM备选型号: KSC5502DTM

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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 频率
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 元素配置
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  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 端子表面处理
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FJD3076TM
    ON Semiconductor
    NPN 10 W 32 V 2 A Surface Mount Epitaxial Silicon Transistor - TO-252
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    32V
    800mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2001
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    32V
    1W
    鸥翼
    2A
    100MHz
    FJD3076
    R-PSSO-G2
    Single
    1W
    AMPLIFIER
    100MHz
    NPN
    NPN
    32V
    2A
    130 @ 500mA 3V
    1μA ICBO
    800mV @ 200mA, 2A
    100MHz
    80V
    40V
    5V
    2.3mm
    6.6mm
    6.1mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    KSC5502DTM
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 600V 2A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    1
    310mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    600V
    50W
    鸥翼
    2A
    11MHz
    KSC5502
    R-PSSO-G2
    Single
    50W
    SWITCHING
    11MHz
    NPN
    NPN
    600V
    2A
    4 @ 1A 1V
    100μA
    1.5V @ 200mA, 1A
    11MHz
    600V
    1.2kV
    12V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    6 Weeks
    Tin (Sn)
    无SVHC
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