ON Semiconductor KSC5502DTM

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Collector-Emitter Saturation Voltage

310mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

hFEMin

12

已出版

2014

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

50W

终端形式

鸥翼

额定电流

2A

频率

11MHz

基本部件号

KSC5502

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

50W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

11MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

4 @ 1A 1V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 200mA, 1A

转换频率

11MHz

最大击穿电压

600V

集电极基极电压(VCBO)

1.2kV

发射极基极电压 (VEBO)

12V

高度

2.39mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅