ON Semiconductor FJD3076TM

生命周期状态

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触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

32V

Collector-Emitter Saturation Voltage

800mV

Number of Elements

1

hFEMin

130

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2001

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

32V

最大功率耗散

1W

终端形式

鸥翼

额定电流

2A

频率

100MHz

基本部件号

FJD3076

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

1W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

32V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

130 @ 500mA 3V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

800mV @ 200mA, 2A

转换频率

100MHz

最大击穿电压

80V

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

2.3mm

长度

6.6mm

宽度

6.1mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅