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首页 全部分类 FP75R07N2E4B11BOSA1 vs BSM50GB60DLCHOSA1

FP75R07N2E4B11BOSA1备选型号: BSM50GB60DLCHOSA1

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  • 晶体管应用
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 无铅代码
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    FP75R07N2E4B11BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE VCES 600V 75A
    12 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    31
    SILICON
    75A
    -40°C~150°C
    Bulk
    2002
    活跃
    不适用
    31
    EAR99
    UL认证
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    三相逆变器
    ISOLATED
    电源控制
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    650V
    75A
    1mA
    45 ns
    1.95V @ 15V, 75A
    320 ns
    沟渠现场停车
    有
    4.6nF @ 25V
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSM50GB60DLCHOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE 600V 75A 280W
    14 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    34
    SILICON
    600V
    -40°C~125°C
    -
    -
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    -
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    Single
    ISOLATED
    -
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    75A
    500μA
    52 ns
    2.45V @ 15V, 50A
    151 ns
    -
    无
    2.2nF @ 25V
    符合RoHS标准
    无铅
    2.2V
    no
    280W
    7
    R-XUFM-X7
    Dual
    280W
    30.5mm
    94mm
    34mm
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