FQB12N60CTM备选型号: STB10N65K3

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  • 底架
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  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    D2PAK (TO-263AB)
    12A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    600V
    12A
    Single
    225W
    N-Channel
    650mOhm @ 6A, 10V
    2290pF @ 25V
    63nC @ 10V
    85ns
    600V
    ±30V
    90 ns
    12A
    30V
    600V
    2.29nF
    650mOhm
    650 mΩ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 0.75Ohm 10A Zener-protected
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    10A Tc
    4.5V @ 100μA
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    SuperMESH3™
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    N-Channel
    1 Ω @ 3.6A, 10V
    1180pF @ 25V
    42nC @ 10V
    14ns
    -
    ±30V
    35 ns
    10A
    30V
    650V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    EAR99
    STB10N6
    1
    14.5 ns
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STB10N65K3 STB10N65K3 STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 650V 0.75Ohm 10A Zener-protected 对比