我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
FQB6N80TM备选型号: FQB7N65CTM
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET 800V N-Channel QFETACTIVE (Last Updated: 1 day ago)4 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON5.8A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2000e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR991.95Ohm800V鸥翼未说明not_compliant5.8A未说明R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET3.13WDRAIN30 nsN-ChannelSWITCHING1.95 Ω @ 2.9A, 10V5V @ 250μA1500pF @ 25V31nC @ 10V70ns±30V45 ns5.8A5V30V800V680 mJ4.83mm10.67mm9.65mm无SVHCROHS3 Compliant无铅-------- MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK---表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB2--7A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2006--Obsolete1 (Unlimited)---650V---7A---Single-173W--N-Channel-1.4Ohm @ 3.5A, 10V4V @ 250μA1245pF @ 25V36nC @ 10V50ns±30V55 ns7A4V30V650V----无SVHC符合RoHS标准无铅D2PAK (TO-263AB)150°C-55°C650V1.245nF1.4Ohm1.4 Ω
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQB7N65CTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK | 对比 |
| FQB8N60CTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series | 对比 |
| FQB7N60TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 600V N-Channel QFET | 对比 |
哦! 它是空的。