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FQB8N90CTM备选型号: STB6N80K5
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 基本部件号
- 漏源电压 (Vdss)
- DS 击穿电压-最小值
- 无铅
MOSFETACTIVE (Last Updated: 1 day ago)11 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB1.31247gSILICON6.3A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAIN40 nsN-ChannelSWITCHING1.9 Ω @ 3.15A, 10V5V @ 250μA2080pF @ 25V45nC @ 10V110ns±30V70 ns6.3A30V900V25A850 mJ4.83mm10.67mm9.65mmROHS3 Compliant----
MOSFET POWER MOSFETACTIVE (Last Updated: 8 months ago)26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3.949996gSILICON4.5A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)SuperMESH5™--活跃1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼---R-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAIN-N-ChannelSWITCHING1.6 Ω @ 2A, 10V5V @ 100μA255pF @ 100V7.5nC @ 10V---4.5A30V--85 mJ---ROHS3 CompliantSTB6N800V800V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB65R660CFDAATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH TO263-3 | 对比 |
| STB6N80K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |
| STB10N65K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 0.75Ohm 10A Zener-protected | 对比 |
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