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首页 全部分类 FQP7N20 vs IRF634B-FP001

FQP7N20备选型号: IRF634B-FP001

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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FQP7N20
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 6.6A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    6.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    200V
    6.6A
    Single
    63W
    N-Channel
    690m Ω @ 3.3A, 10V
    5V @ 250μA
    400pF @ 25V
    10nC @ 10V
    65ns
    ±30V
    35 ns
    6.6A
    30V
    200V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    IRF634B-FP001
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 weeks ago)
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    8.1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Single
    74W
    N-Channel
    450m Ω @ 4.05A, 10V
    4V @ 250μA
    1000pF @ 25V
    38nC @ 10V
    75ns
    ±30V
    65 ns
    8.1A
    30V
    250V
    ROHS3 Compliant
    -
    1.8g
    SILICON
    e3
    3
    Tin (Sn)
    R-PSFM-T3
    增强型MOSFET
    15 ns
    SWITCHING
    TO-220AB
    32.4A
    200 mJ
    无
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