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首页 全部分类 FS200R07N3E4RBOSA1 vs APTGF150DU120TG

FS200R07N3E4RBOSA1备选型号: APTGF150DU120TG

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  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
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  • 最大集电极电流
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  • 接通时间
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  • 最大结点温度（Tj）
  • 连续集电极电流
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 输入电容
  • VCEsat-最大值
  • Infineon Technologies
    FS200R07N3E4RBOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE VCES 600V 200A
    16 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    35
    SILICON
    FS200R07N3E4RBOSA1
    650V
    1.55V
    -40°C~150°C
    2002
    no
    活跃
    不适用
    35
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    35
    三相逆变器
    600W
    150 ns
    电源控制
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    650V
    200A
    1mA
    210 ns
    1.95V @ 15V, 200A
    150°C
    200A
    450 ns
    沟渠现场停车
    有
    13nF @ 25V
    17.5mm
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGF150DU120TG
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1200V 200A 961W SP4
    -
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP4
    20
    -
    -
    1.2kV
    -
    -
    2006
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    12
    Dual, Common Source
    -
    -
    电源控制
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    200A
    350μA
    190 ns
    3.7V @ 15V, 150A
    -
    -
    390 ns
    NPT
    有
    10.2nF @ 25V
    -
    符合RoHS标准
    -
    e1
    锡银铜
    150°C
    -40°C
    961W
    R-XUFM-X12
    不合格
    Dual
    ISOLATED
    1200V
    10.2nF
    3.7 V
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APTGF150DU120TG APTGF150DU120TG Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 SP4 IGBT MODULE 1200V 200A 961W SP4 对比