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首页 全部分类 FS200R07N3E4RBOSA1 vs FF150R12YT3BOMA1

FS200R07N3E4RBOSA1备选型号: FF150R12YT3BOMA1

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 晶体管元件材料
  • 制造商包装标识符
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 连续集电极电流
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大功率耗散
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    FS200R07N3E4RBOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE VCES 600V 200A
    16 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    35
    SILICON
    FS200R07N3E4RBOSA1
    650V
    1.55V
    -40°C~150°C
    2002
    no
    活跃
    不适用
    35
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    35
    三相逆变器
    600W
    150 ns
    电源控制
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    650V
    200A
    1mA
    210 ns
    1.95V @ 15V, 200A
    150°C
    200A
    450 ns
    沟渠现场停车
    有
    13nF @ 25V
    17.5mm
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FF150R12YT3BOMA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 200A 625W
    14 Weeks
    PCB, Screw
    底座安装
    Module
    2
    SILICON
    -
    2
    -
    -40°C~125°C
    2002
    no
    不用于新设计
    不适用
    24
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    24
    2 Independent
    -
    -
    -
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    200A
    1mA
    330 ns
    2.15V @ 15V, 150A
    -
    -
    610 ns
    -
    有
    10.5nF @ 25V
    17mm
    符合RoHS标准
    含铅
    625W
    不合格
    Dual
    ISOLATED
    625W
    1200V
    55.9mm
    45.6mm
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