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首页 全部分类 FS200R07PE4BOSA1 vs BSM200GB60DLCHOSA1

FS200R07PE4BOSA1备选型号: BSM200GB60DLCHOSA1

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集极截止电流
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 最大集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    FS200R07PE4BOSA1
    Infineon Technologies
    Trans IGBT Module N-CH 650V 200A 600000mW 20-Pin ECONO4-1 Tray
    16 Weeks
    Tin
    Screw
    底座安装
    Module
    20
    SILICON
    1.95V
    200A
    -40°C~150°C TJ
    2002
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    20
    EAR99
    600W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    20
    三相逆变器
    ISOLATED
    600W
    电源控制
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    650V
    1mA
    200 ns
    1.95V @ 15V, 200A
    690 ns
    沟渠现场停车
    有
    12nF @ 25V
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSM200GB60DLCHOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 600V 230A 730W
    14 Weeks
    -
    Screw
    底座安装
    Module
    34
    SILICON
    1.95V
    600V
    -40°C~125°C
    2000
    no
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    445W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    7
    Single
    ISOLATED
    730W
    -
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    500μA
    229 ns
    2.45V @ 15V, 200A
    326 ns
    -
    无
    9nF @ 25V
    符合RoHS标准
    无铅
    R-XUFM-X7
    Dual
    445W
    230A
    30.5mm
    94mm
    34mm
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BSM200GB60DLCHOSA1 BSM200GB60DLCHOSA1 Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Module IGBT MOD 600V 230A 730W 对比