Infineon Technologies FS200R07PE4BOSA1
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FS200R07PE4BOSA1
1211-FS200R07PE4BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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Trans IGBT Module N-CH 650V 200A 600000mW 20-Pin ECONO4-1 Tray
1最小包装量--
FS200R07PE4BOSA1详情
Infineon Technologies FS200R07PE4BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
引脚数
20
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.95V
Current-Collector (Ic) (Max)
200A
Number of Elements
6
操作温度
-40°C~150°C TJ
已出版
2002
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
20
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
600W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
20
配置
三相逆变器
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
600W
晶体管应用
电源控制
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
650V
最大集极截止电流
1mA
接通时间
200 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.95V @ 15V, 200A
关断时间-标准值(toff)
690 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
12nF @ 25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
FS200R07PE4BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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