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首页 全部分类 FSB649 vs BC848BT116

FSB649备选型号: BC848BT116

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  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 连续集电极电流
  • ON Semiconductor
    FSB649
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Low Saturation
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    30mg
    SILICON
    25V
    600mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    25V
    500mW
    DUAL
    鸥翼
    3A
    FSB649
    Single
    500mW
    NPN
    NPN
    25V
    3A
    100 @ 1A 2V
    100nA ICBO
    600mV @ 300mA, 3A
    150MHz
    25V
    150MHz
    35V
    5V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    BC848BT116
    ROHM Semiconductor
    TRANS NPN 30V 0.1A SST3
    -
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    SILICON
    30V
    600mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    30V
    350mW
    DUAL
    鸥翼
    100mA
    -
    Single
    -
    NPN
    NPN
    30V
    100mA
    200 @ 2mA 5V
    100nA ICBO
    600mV @ 5mA, 100mA
    200MHz
    -
    -
    30V
    5V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Copper, Silver, Tin
    8541.21.00.75
    260
    10
    3
    AMPLIFIER
    200MHz
    100mA
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