ON Semiconductor FSB649

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

600mV

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

25V

最大功率耗散

500mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

3A

基本部件号

FSB649

元素配置

Single

功率耗散

500mW

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

25V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 1A 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 300mA, 3A

转换频率

150MHz

最大击穿电压

25V

频率转换

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

35V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅