FSB649备选型号: FMMT449
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 频率
- 增益带宽积
- 高度
- 长度
- 宽度
- Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Low SaturationACTIVE (Last Updated: 1 day ago)20 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3330mgSILICON25V600mV-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)25V500mWDUAL鸥翼3AFSB649Single500mWNPNNPN25V3A100 @ 1A 2V100nA ICBO600mV @ 300mA, 3A150MHz25V150MHz35V5V无ROHS3 Compliant无铅-----
- Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin SuperSOT T/RLIFETIME (Last Updated: 6 days ago)7 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3330mgSILICON30V1V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008-yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99-30V500mWDUAL鸥翼1AFMMT449Single500mWNPNNPN30V1A100 @ 500mA 2V100nA ICBO1V @ 200mA, 2A150MHz30V-50V5V无ROHS3 Compliant无铅150MHz150MHz940μm2.92mm1.4mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BC848BT116 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 30V 0.1A SST3 | 对比 | |
![]() | FMMT449 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin SuperSOT T/R | 对比 |
![]() | 2SC3265-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 25V 0.8A S-MINI | 对比 |



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