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首页 全部分类 FW216A-TL-2W vs IRF9335PBF

FW216A-TL-2W备选型号: IRF9335PBF

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  • 系列
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  • 功率耗散
  • 晶体管应用
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  • 阈值电压
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FW216A-TL-2W
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8SOIC
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    YES
    8
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    2.2W
    鸥翼
    8
    Dual
    增强型MOSFET
    6 ns
    2 N-Channel (Dual)
    64m Ω @ 4.5A, 10V
    280pF @ 10V
    5.6nC @ 10V
    21ns
    35V
    10 ns
    4.5A
    20V
    0.064Ohm
    35V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 4V Drive
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9335PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-SO
    -
    -
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    8
    SILICON
    5.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    -
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    -
    Single
    增强型MOSFET
    9.7 ns
    P-Channel
    59m Ω @ 5.4A, 10V
    386pF @ 25V
    14nC @ 10V
    19ns
    30V
    15 ns
    -5.4A
    20V
    0.059Ohm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    HEXFET®
    DUAL
    2.5W
    SWITCHING
    2.4V @ 10μA
    ±20V
    -1.8V
    MS-012AA
    -30V
    43A
    21 ns
    -1.8 V
    1.57mm
    4.98mm
    3.99mm
    无SVHC
    无
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