FW216A-TL-2W备选型号: NTMD4884NFR2G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 功率耗散
- 晶体管应用
- Vgs(最大值)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 达到SVHC
- MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8SOICLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)4 Weeks表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)YES8SILICON2150°C TJTape & Reel (TR)2013e3yesObsolete1 (Unlimited)8EAR99Tin (Sn)2.2W鸥翼8Dual增强型MOSFET6 ns2 N-Channel (Dual)64m Ω @ 4.5A, 10V280pF @ 10V5.6nC @ 10V21ns35V10 ns4.5A20V0.064Ohm35VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 4V Drive符合RoHS标准无铅------------
- MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC--表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)-8SILICON3.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008e3yesOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)1 (Unlimited)8EAR99Tin (Sn)-鸥翼-Dual增强型MOSFET-N-Channel48m Ω @ 4A, 10V360pF @ 15V4.2nC @ 4.5V6.5ns-1.4 ns5.7A20V---Schottky Diode (Isolated)符合RoHS标准无铅表面贴装2.5V @ 250μA未说明未说明不合格2.3WSWITCHING±20V3.3A30V42 pFunknown
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF9335PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-SO | 对比 |
![]() | IRF7316TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC | 对比 |
| NTMD4884NFR2G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC | 对比 |



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