ON Semiconductor FW216A-TL-2W
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FW216A-TL-2W
1807-FW216A-TL-2W
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8SOIC
--最小包装量--
FW216A-TL-2W详情
ON Semiconductor FW216A-TL-2W重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
2.2W
终端形式
鸥翼
引脚数量
8
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
64m Ω @ 4.5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
280pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.6nC @ 10V
上升时间
21ns
漏源电压 (Vdss)
35V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
4.5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.064Ohm
DS 击穿电压-最小值
35V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate, 4V Drive
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FW216A-TL-2W拓展信息









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