HAT2266H-EL-E备选型号: 2SJ661-DL-1E

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 已出版
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 通道数量
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • Renesas Electronics America
    Trans MOSFET N-CH 60V 30A 5-Pin(4 Tab) LFPAK T/R
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    5
    SILICON
    30A Ta
    2.5V @ 1mA
    2006
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e4
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    23W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12m Ω @ 15A, 10V
    3600pF @ 10V
    25nC @ 4.5V
    15ns
    60V
    ±20V
    5.5 ns
    30A
    20V
    60V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
    2 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    38A Ta
    -
    2012
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    1.65W
    -
    -
    P-Channel
    -
    39m Ω @ 19A, 10V
    4360pF @ 20V
    80nC @ 10V
    -
    60V
    ±20V
    -
    38A
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1
    -4V
    not_compliant
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2SJ661-DL-1E 2SJ661-DL-1E ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES 对比