Renesas Electronics America HAT2266H-EL-E

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-100, SOT-669

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

23W Tc

Turn Off Delay Time

50 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Number of Elements

1

已出版

2006

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

23W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

12m Ω @ 15A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3600pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 4.5V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5.5 ns

连续放电电流(ID)

30A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

DS 击穿电压-最小值

60V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅